富士电机株式会社（总部位于日本东京，总裁北泽通宏）很高兴宣布在其分立IGBT*1 XS系列产品线中增加了额定电压为1200 V的产品，可提供行业前沿的低损耗。

*1：绝缘栅双极型晶体管

1.背景

随着世界离实现低碳化社会越来越近，人们对在社会和工业基础设施中进一步节能充满期待。功率半导体器件是在例如不间断电源（UPS）、功率调节系统（PCS）和电动汽车（EV）充电器等电力电子设备*2中进行功率转换和功率控制的关键设备。UPS对于因数字革命而不断扩大投资的数据中心的稳定运行必不可少，而PCS对于可再生能源发电设施必不可少，EV充电器则支持EV充电基础设施。功率半导体器件的作用是在电路中以重复的短时间增量进行开关（打开和关闭电源），以控制电压，并在直流和交流之间进行切换。 
富士电机的分立IGBT XS系列可降低开关过程中的功率损耗（开关损耗）和电流在电路中流动时的功率损耗（稳态损耗），有助于节省其配备产品的功率。除了现有的额定电压为650V的产品外，本公司已经开始出售一种新型的额定功率为1200V的产品，以适应各种容量波段的设备，包括几十kVA的UPS。他们希望扩容的产品线将有助于客户设备的设计。预计到2023年，配备这些产品的工业设备的市场将从目前的600亿日元增长到700亿日元*3，并将在全球范围内扩容，尤其是在需求旺盛的中国和中国台湾。

*2：转换和控制电力的设备

*3：通过FE估计

分立IGBT XS系列

3.产品特征

同时降低稳态损耗和开关损耗

该XS系列产品配备了富士电机最新的第7代IGBT，拥有该行业内的一些较好的低损耗性能。通过优化芯片结构和减少Si（硅）衬底厚度，改善了稳态损耗和开关损耗之间的权衡。与公司的常规产品相比，稳态损耗和开关损耗分别降低了约20%和6%。 

4. 产品规格